‘스핀 메모리 소자, 초고속·초전력 대용량으로 구현’ 기술 개발

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기초과학연구원(IBS)은 차세대 메모리 소재인 스핀 메모리 소자를 초고속·초전력 대용량으로 구현할 수 있는 기술을 개발했다고 25일 밝혔다. IBS 소속 원자제어 저차원 전자계 연구단과 강상관계 물질 연구단은 자석 성질을 띠는 자성 반도체 물질에서 ‘초거대 각자기저항’ 현상을 세계 최초로 발견했다. 이는 자기장 크기가 일정할 때 ‘스핀’ 각도에 따라 자기저항 크기가 10억 배까지 변화하는 현상을 뜻한다. 자석의 원인인 스핀은 전자가 자기장에 대해 회전운동을 하는…
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